DI100P04PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI100P04PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, P, -40V, -100A, 3.8mΩ, 175°C,
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI100P04PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-40 V

Drain Current 25°C	ID	-100.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.00500 Ω
	@ ID	-20.000 A
	@ VGS	-10 V
Drain Current 100°C	ID	-100.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.00750 Ω
	@ ID	-10.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	50.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Terminal
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-400.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-1 V
	VGSth max	-2.2 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	13 ns
Anstiegszeit	tr	78 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	194 ns
Abfallzeit	tf	110 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	118.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	27 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	272.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	5705 pF
Output Capacitance	Coss	654 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	555 pF
Reverse recovery charge	Qrr	15 nC