DI100P04PQ-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI100P04PQ-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6, P, -40V, -100A, 3.8mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI100P04PQ-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-40 V

Drainstrom 25°C	ID	-70.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0038 Ω
	@ ID	-20.000 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID	-70.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0055 Ω
	@ ID	-10.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	50.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Terminal
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-400.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-1 V
	VGSth max	-2.2 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	13 ns
Anstiegszeit	tr	78 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	194 ns
Abfallzeit	tf	110 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	118.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	27 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	272.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	5705 pF
Ausgangskapazität	Coss	654 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	555 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	15 nC