DI100N10PQ-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI100N10PQ-Q MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 80A, 4.5mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI100N10PQ-Q

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V
Drain Current 25°C	ID	80.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0045 Ω
	@ ID	50 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	50.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0066 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	50.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	480.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	26 ns
Anstiegszeit	tr	43 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	23 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	75.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	12 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	144.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	3742 pF
Output Capacitance	Coss	698 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	34 pF
Reverse recovery charge	Qrr	48 nC