DI100N04PT-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI100N04PT-AQ MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 40V, 100A, 2mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI100N04PT-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drain Current 25°C	ID	100.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0020 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	41.600 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	400 A
Schwellspannung	VGSth min
	VGSth max	1.8 V
Einschaltverzögerung	tD(on)
Anstiegszeit	tr	0 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Abfallzeit	tf	0 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss
Output Capacitance	Coss
Reverse Transfer Capacitance	Crss
Reverse recovery charge	Qrr