DI100N04PQ-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI100N04PQ-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 40V, 100A, 2.1mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI100N04PQ-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drain Current 25°C	ID	100.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0021 Ω
	@ ID	50 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	80.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0030 Ω
	@ ID	50.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	83.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	400.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.4 V
	VGSth max	2.4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Anstiegszeit	tr	6 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	39 ns
Abfallzeit	tf	6 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	64.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	7 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	264.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	4766 pF
Output Capacitance	Coss	1821 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	49 pF
Reverse recovery charge	Qrr	90 nC