DI0A35N06PGK-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI0A35N06PGK-AQ MOSFET, DFN1006-3, N, 60V, 0.35A, 1.4Ω, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	10.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI0A35N06PGK-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	DFN1006-3
Qualification	AEC-Q101
Config	Single Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V
Drain Current 25°C	ID	0.350 A
On-Resistance 1	RDSon1	1.4000 Ω
	@ ID	0.500 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	1.4000 Ω
	@ ID	0.200 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.223 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	1.200 A
Schwellspannung	VGSth min	0.5 V
	VGSth max	1.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	4 ns
Anstiegszeit	tr	3 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	19 ns
Abfallzeit	tf	12 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	1.9 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	0 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	32 pF
Output Capacitance	Coss	11 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	8 pF
Reverse recovery charge	Qrr