DI090N15D2-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI090N15D2-AQ MOSFET, D2PAK, N, 150V, 90A, 12mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI090N15D2-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263AB/D2PAK
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	150 V

Drainstrom 25°C	ID	90.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.01200 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	63.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	266.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	360.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	17 ns
Anstiegszeit	tr	80 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	36 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	54.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	0.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	10 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	324.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	3256 pF
Ausgangskapazität	Coss	280 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	16 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	360.0 nC