DI088N10PQ-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI088N10PQ-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 88A, 5.4mΩ, 175°C AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI088N10PQ-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drain Current 25°C	ID	88.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.00540 Ω
	@ ID	30.000 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	62.000 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	75.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	360.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	21 ns
Anstiegszeit	tr	32 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	14 ns
Abfallzeit	tf	5 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	45.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	10 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	248.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	2769 pF
Output Capacitance	Coss	1297 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	19 pF
Reverse recovery charge	Qrr	82.0 nC