DI087N03D1-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI087N03D1-AQ MOSFET, DPAK, N, 30V, 87A, 3mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI087N03D1-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V
Drain Current 25°C	ID	87.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0030 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	55.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0037 Ω
	@ ID	15.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	41.670 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	420.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.5 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	16 ns
Anstiegszeit	tr	54 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	15 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	39.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	6 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	120.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	2468 pF
Output Capacitance	Coss	1726 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	34 pF
Reverse recovery charge	Qrr	42 nC