DI077P06D1
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

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Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DI077P06D1
MOSFET, DPAK, P, -60V, -77A, 13.5mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge 2.500
Bestand 0
Zollnummer 85412900
RoHS / REACH Ja

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Technische Daten

Artikelnummer DI077P06D1
DI077P06D1 Single
Typ SMD
Gehäuse TO-252AA/D-PAK
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle active
ESD sensitive Nein
 
ESD protection ESD protected Nein
Polarität pol P
Drain-Source-Spannung VDS -60 V
Drain Current 25°C ID -77.000 A
On-Resistance 1 RDSon1 0.0135 Ω
@ ID -20 A
@ VGS -10 V
Drain Current 100°C ID -45.000 A
On-Resistance 2 RDSon2 0.0170 Ω
@ ID -20.000 A
@ VGS -4.5 V
Sperrschicht Temperatur Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 150.000 W
@ TLoc
Location
Avalanche Avalanche Ja
Drain-Spitzenstrom IDM -328.000 A
Schwellspannung VGSth min -1.3 V
VGSth max -2.6 V
Einschaltverzögerung tD(on) 17 ns
Anstiegszeit tr 19 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 56 ns
Abfallzeit tf 35 ns
Total Gate Charge (10V) Qg (10V) 62.1 nC
Total Gate Charge (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge Qgd 17 nC
Single pulse avalanche energy Eas 722.0 mJ
Input Capacitance Ciss 5505 pF
Output Capacitance Coss 325 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss 275 pF
Reverse recovery charge Qrr 71 nC

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