DI075N08PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI075N08PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 80V, 75A, 4mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI075N08PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	80 V

Drain Current 25°C	ID	75.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0040 Ω
	@ ID	55 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	47.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0042 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	7 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	45.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	350.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	36 ns
Anstiegszeit	tr	50 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	29 ns
Abfallzeit	tf	11 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	89.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	20 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	91.2 mJ
Input Capacitance	Ciss	5500 pF
Output Capacitance	Coss	833 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	63 pF
Reverse recovery charge	Qrr	99 nC