DI074N06D1K
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI074N06D1K Gate Protected MOSFET, DPAK, N, 65V, 74A, 5.8mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI074N06D1K

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	65 V

Drain Current 25°C	ID	74.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0058 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	47.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0094 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	56.800 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	300.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	14 ns
Anstiegszeit	tr	25 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	25 ns
Abfallzeit	tf	13 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	31.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	8 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	5.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	1691 pF
Output Capacitance	Coss	604 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	37 pF
Reverse recovery charge	Qrr	16 nC