DI072N06PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DI072N06PT
MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 65V, 72A, 4.9mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge 5.000
Bestand 0
Zollnummer 85412900
Ursprung CN
RoHS / REACH Ja

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DI072N06PT
DI072N06PT Single
Typ SMD
Gehäuse PowerQFN 3x3
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle active
ESD sensitive Nein
 
ESD protection ESD protected Nein
Polarität pol N
Drain-Source-Spannung VDS 65 V
Drain Current 25°C ID 72.000 A
On-Resistance 1 RDSon1 0.0049
@ ID 20 A
@ VGS 10 V
Drain Current 100°C ID 46.000 A
On-Resistance 2 RDSon2 0.0070
@ ID 15.000 A
@ VGS 4.5 V
Sperrschicht Temperatur Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 43.000 W
@ TLoc
Location
Avalanche Avalanche Ja
Drain-Spitzenstrom IDM 280.000 A
Schwellspannung VGSth min 1.2 V
VGSth max 2.5 V
Einschaltverzögerung tD(on) 10 ns
Anstiegszeit tr 9 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 33 ns
Abfallzeit tf 13 ns
Total Gate Charge (10V) Qg (10V) 35.0 nC
Total Gate Charge (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge Qgd 8 nC
Single pulse avalanche energy Eas 80.0 mJ
Input Capacitance Ciss 1990 pF
Output Capacitance Coss 735 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss 42 pF
Reverse recovery charge Qrr 20 nC

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