DI070P04PQ-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI070P04PQ-Q MOSFET, PowerQFN 5x6, P, -40V, -70A, 6.5mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI070P04PQ-Q

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-40 V
Drain Current 25°C	ID	-70.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0065 Ω
	@ ID	-20 A
	@ VGS	-10 V
Drain Current 100°C	ID	-44.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0090 Ω
	@ ID	-15.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	46.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-300.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-1 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	37 ns
Anstiegszeit	tr	48 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	43 ns
Abfallzeit	tf	9 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	125.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	19 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	150.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	7560 pF
Output Capacitance	Coss	521 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	344 pF
Reverse recovery charge	Qrr	16 nC