DI070N01PTK
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI070N01PTK MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 12V, 70A, 3.8mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI070N01PTK

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	12 V

Drain Current 25°C	ID	70.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0038 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	4.5 V
Drain Current 100°C	ID	49.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0051 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	50.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	210.000 A
Schwellspannung	VGSth min	0.3 V
	VGSth max	1.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	8 ns
Anstiegszeit	tr	19 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	73 ns
Abfallzeit	tf	80 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	0.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)	65.0 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	12 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	0.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	3212 pF
Output Capacitance	Coss	432 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	368 pF
Reverse recovery charge	Qrr	6 nC