DI070N01PTK
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI070N01PTK MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 12V, 70A, 3.8mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI070N01PTK

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	12 V

Drainstrom 25°C	ID	70.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0038 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	4.5 V
Drainstrom 100°C	ID	49.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0051 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	50.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	210.000 A
Schwellspannung	VGSth min	0.3 V
	VGSth max	1.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	8 ns
Anstiegszeit	tr	19 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	73 ns
Abfallzeit	tf	80 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	0.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	65.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	12 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	0.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	3212 pF
Ausgangskapazität	Coss	432 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	368 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	6 nC