DI065N08D1
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

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Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DI065N08D1
MOSFET, DPAK, N, 80V, 65A, 7mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge 2.500
Bestand 0
Zollnummer 85412900
RoHS / REACH Ja

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Technische Daten

Artikelnummer DI065N08D1
DI065N08D1 Single
Typ SMD
Gehäuse TO-252AA/D-PAK
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
 
ESD protection ESD protected Nein
Polarität pol N
Drain-Source-Spannung VDS 80 V
Drain Current 25°C ID 65.000 A
On-Resistance 1 RDSon1 0.0070 Ω
@ ID 20 A
@ VGS 10 V
Drain Current 100°C ID 40.000 A
On-Resistance 2 RDSon2 0.0095 Ω
@ ID 10.000 A
@ VGS 4.5 V
Sperrschicht Temperatur Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 50.400 W
@ TLoc
Location
Avalanche Avalanche Ja
Drain-Spitzenstrom IDM 300.000 A
Schwellspannung VGSth min 1.2 V
VGSth max 2.5 V
Einschaltverzögerung tD(on) 8 ns
Anstiegszeit tr 21 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 19 ns
Abfallzeit tf 45 ns
Total Gate Charge (10V) Qg (10V) 35.0 nC
Total Gate Charge (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge Qgd 8 nC
Single pulse avalanche energy Eas 25.6 mJ
Input Capacitance Ciss 1812 pF
Output Capacitance Coss 903 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss 53 pF
Reverse recovery charge Qrr 45 nC

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