DI064P04D1-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI064P04D1-Q MOSFET, DPAK, P, -40V, -64A, 7.6mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI064P04D1-Q

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-40 V
Drain Current 25°C	ID	-64.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0076 Ω
	@ ID	-30 A
	@ VGS	-10 V
Drain Current 100°C	ID	-40.000 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	48.300 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-350.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-2.0 V
	VGSth max	-4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	44 ns
Anstiegszeit	tr	52 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	30 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	105.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	17 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	221.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	7475 pF
Output Capacitance	Coss	555 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	3299 pF
Reverse recovery charge	Qrr	27 nC