DI064P04D1-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI064P04D1-Q MOSFET, DPAK, P, -40V, -64A, 7.6mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI064P04D1-Q

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-40 V

Drainstrom 25°C	ID	-64.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0076 Ω
	@ ID	-30 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID	-40.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	48.300 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-350.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-2.0 V
	VGSth max	-4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	44 ns
Anstiegszeit	tr	52 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	30 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	105.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	17 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	221.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	7475 pF
Ausgangskapazität	Coss	555 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	3299 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	27 nC