DI060N06PQ-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI060N06PQ-Q MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 60V, 60A, 7mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI060N06PQ-Q

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drain Current 25°C	ID	60.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0070 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	43.000 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	70.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	170.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	8 ns
Anstiegszeit	tr	2 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	29 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	27.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	10 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	320.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	1700 pF
Output Capacitance	Coss	345 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	8 pF
Reverse recovery charge	Qrr	48 nC