DI057N04PQ-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI057N04PQ-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 40V, 57A, 6.4mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI057N04PQ-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drain Current 25°C	ID	57.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0064 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	40.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0085 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	34.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	220.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	9 ns
Anstiegszeit	tr	43 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	9 ns
Abfallzeit	tf	7 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	14.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)	7.0 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	3 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	715 pF
Output Capacitance	Coss	230 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	17 pF
Reverse recovery charge	Qrr	9 nC