DI056N10D2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI056N10D2 MOSFET, D2PAK, N, 100V, 56A
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI056N10D2

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263AB/D2PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drain Current 25°C	ID	56.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0095 Ω
	@ ID	15.000 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	34.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0130 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	57.600 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	200.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.5 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	15 ns
Anstiegszeit	tr	16 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	15 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	38.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	11 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	70.5 mJ
Input Capacitance	Ciss	1685 pF
Output Capacitance	Coss	307 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	24 pF
Reverse recovery charge	Qrr	38 nC