DI054N10D1-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI054N10D1-AQ MOSFET, DPAK, N, 100V, 54A, 9.5mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI054N10D1-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	54.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0095 Ω
	@ ID	15 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	34.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0130 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	47.900 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	200.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.5 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	15 ns
Anstiegszeit	tr	16 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	15 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	38.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	11 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	70.5 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1685 pF
Ausgangskapazität	Coss	307 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	24 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	38 nC