DI050P02PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI050P02PT MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -20V, -50A, 10mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI050P02PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-20 V

Drainstrom 25°C	ID	-50.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0100 Ω
	@ ID	-15 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID	-31.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0130 Ω
	@ ID	-8.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	35.700 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-180.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-0.3 V
	VGSth max	-1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	28 ns
Anstiegszeit	tr	67 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	41 ns
Abfallzeit	tf	5 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	102.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	13 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	54.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	4596 pF
Ausgangskapazität	Coss	546 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	449 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	8 nC