DI050P02PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI050P02PT MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -20V, -50A, 10mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI050P02PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-20 V

Drain Current 25°C	ID	-50.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0100 Ω
	@ ID	-15 A
	@ VGS	-10 V
Drain Current 100°C	ID	-31.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0130 Ω
	@ ID	-8.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	35.700 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-180.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-0.3 V
	VGSth max	-1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	28 ns
Anstiegszeit	tr	67 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	41 ns
Abfallzeit	tf	5 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	102.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	13 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	54.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	4596 pF
Output Capacitance	Coss	546 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	449 pF
Reverse recovery charge	Qrr	8 nC