DI050N10PT-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI050N10PT-AQ MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 100V, 50A, 9.2mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI050N10PT-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	50.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.00920 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	35.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.01190 Ω
	@ ID	15.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	50.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	200.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	5 ns
Anstiegszeit	tr	10 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	19 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	26.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	13.3 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	6 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	45.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1604 pF
Ausgangskapazität	Coss	576 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	18 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	50.0 nC