DI050N04PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI050N04PT MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 40V, 50A, 5.7mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI050N04PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V
Drain Current 25°C	ID	50.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0057 Ω
	@ ID	10 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	32.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0070 Ω
	@ ID	5.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	25.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	220.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	22 ns
Anstiegszeit	tr	26 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	21 ns
Abfallzeit	tf	3 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	70.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	13 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	103.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	3255 pF
Output Capacitance	Coss	260 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	195 pF
Reverse recovery charge	Qrr	9 nC