DI050N04PT-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI050N04PT-AQ MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 40V, 50A, 5.7mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	45.000
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI050N04PT-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	50.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0057 Ω
	@ ID	10 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	32.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0070 Ω
	@ ID	5.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	30.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	220.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	22 ns
Anstiegszeit	tr	26 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	21 ns
Abfallzeit	tf	3 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	70.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	13 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	103.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	3255 pF
Ausgangskapazität	Coss	260 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	195 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	9 nC