DI048N04PT-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI048N04PT-AQ MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 40V, 48A, 7.6mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI048N04PT-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V
Drain Current 25°C	ID	48.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0076 Ω
	@ ID	10 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	35.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0090 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	37.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	200.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	17 ns
Anstiegszeit	tr	30 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	17 ns
Abfallzeit	tf	2 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	48.5 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	10 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	45.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	2268 pF
Output Capacitance	Coss	169 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	121 pF
Reverse recovery charge	Qrr	7 nC