DI048N04PQ2-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI048N04PQ2-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 40V, 48A, 8mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	20.000
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI048N04PQ2-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6-Dual
Qualification	AEC-Q101
Config	Dual
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V
Drain Current 25°C	ID	48.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0080 Ω
	@ ID	12 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	22.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0115 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	28.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	200.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	17 ns
Anstiegszeit	tr	30 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	17 ns
Abfallzeit	tf	2 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	48.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	9 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	36.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	2270 pF
Output Capacitance	Coss	170 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	120 pF
Reverse recovery charge	Qrr	6 nC