DI048N04PQ-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI048N04PQ-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 40V, 48A, 8mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI048N04PQ-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	48.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0080 Ω
	@ ID	12 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	30.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	9.5000 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	28.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	200.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	17 ns
Anstiegszeit	tr	30 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	17 ns
Abfallzeit	tf	2 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	48.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	9 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	33.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	2270 pF
Ausgangskapazität	Coss	170 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	120 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	6 nC