DI045N10PQ-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI045N10PQ-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 45A, 6.5mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI045N10PQ-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V
Drain Current 25°C	ID	45.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0065 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	42.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0090 Ω
	@ ID	15.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	50.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	400.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	19 ns
Anstiegszeit	tr	20 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	18 ns
Abfallzeit	tf	5 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	56.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	17 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	133.4 mJ
Input Capacitance	Ciss	2551 pF
Output Capacitance	Coss	495 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	34 pF
Reverse recovery charge	Qrr	55 nC