DI040P04PT-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI040P04PT-AQ MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -40V, -40A, 15mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI040P04PT-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-40 V

Drainstrom 25°C	ID	-40.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0150 Ω
	@ ID	-10 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID	-27.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0180 Ω
	@ ID	-8.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	31.200 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-160.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-1 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	19 ns
Anstiegszeit	tr	25 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	26 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	59.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	9 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	51.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	3538 pF
Ausgangskapazität	Coss	265 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	178 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	10 nC