DI035P04PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DI035P04PT
MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -40V, -35A, 19mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge 5.000
Bestand 0
Zollnummer 85412900
RoHS / REACH Ja

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DI035P04PT
DI035P04PT Single
Typ SMD
Gehäuse PowerQFN 3x3
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle active
ESD sensitive Nein
 
ESD protection ESD protected Nein
Polarität pol P
Drain-Source-Spannung VDS -40 V
Drain Current 25°C ID -35.000 A
On-Resistance 1 RDSon1 0.0190
@ ID -10 A
@ VGS -10 V
Drain Current 100°C ID -24.000 A
On-Resistance 2 RDSon2 0.0290
@ ID -8.000 A
@ VGS -4.5 V
Sperrschicht Temperatur Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 25.000 W
@ TLoc
Location
Avalanche Avalanche Ja
Drain-Spitzenstrom IDM -120.000 A
Schwellspannung VGSth min -1.2 V
VGSth max -2.5 V
Einschaltverzögerung tD(on) 14 ns
Anstiegszeit tr 26 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 27 ns
Abfallzeit tf 5 ns
Total Gate Charge (10V) Qg (10V) 30.0 nC
Total Gate Charge (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge Qgd 10 nC
Single pulse avalanche energy Eas 54.0 mJ
Input Capacitance Ciss 2570 pF
Output Capacitance Coss 175 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss 110 pF
Reverse recovery charge Qrr 9 nC

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