DI035N06PQ2-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI035N06PQ2-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 60V, 35A, 15mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI035N06PQ2-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6-Dual
Qualification	AEC-Q101
Config	Dual
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drainstrom 25°C	ID	35.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0150 Ω
	@ ID	12 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	20.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0200 Ω
	@ ID	7.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	35.700 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	110.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Anstiegszeit	tr	17 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	10 ns
Abfallzeit	tf	2 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	14.6 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	12.8 mJ
Eingangskapazität	Ciss	782 pF
Ausgangskapazität	Coss	353 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	19 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	7 nC