DI032N03PTK
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI032N03PTK Gate protected MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 30V, 32A, 5mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI032N03PTK

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drainstrom 25°C	ID	32.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0050 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	32.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0072 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	28.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	115.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Anstiegszeit	tr	9 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	40 ns
Abfallzeit	tf	11 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	38.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	12 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	45.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	2300 pF
Ausgangskapazität	Coss	240 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	210 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	15 nC