DI025P02PW
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI025P02PW MOSFET, PowerQFN 2x2, P, -20V, -25A, 10mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI025P02PW

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-20 V

Drain Current 25°C	ID	-25.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.01000 Ω
	@ ID	-20.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Drain Current 100°C	ID	-16.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.01500 Ω
	@ ID	-15.000 A
	@ VGS	-2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	18.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-100.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-0.4 V
	VGSth max	-1.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	12 ns
Anstiegszeit	tr	40 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	30 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)	24.7 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	7 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	1909 pF
Output Capacitance	Coss	356 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	340 pF
Reverse recovery charge	Qrr	0.0 nC