DI025N20PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI025N20PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 200V, 25A, 48mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI025N20PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	200 V

Drainstrom 25°C	ID	25.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0480 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	20.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	135.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	100.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Anstiegszeit	tr	9 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	25 ns
Abfallzeit	tf	5 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	28.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	6 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	320.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1650 pF
Ausgangskapazität	Coss	132 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	6 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	160 nC