DI025N06PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI025N06PT MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 65V, 25A, 20mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI025N06PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	65 V
Drain Current 25°C	ID	25.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0200 Ω
	@ ID	8 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	15.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0300 Ω
	@ ID	5.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	25.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	80.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.4 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	6 ns
Anstiegszeit	tr	7 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	6 ns
Abfallzeit	tf	1 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	9.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	3 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	4.3 mJ
Input Capacitance	Ciss	406 pF
Output Capacitance	Coss	147 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	18 pF
Reverse recovery charge	Qrr	4 nC