DI025N06BPT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI025N06BPT MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 65V, 25A, 21mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI025N06BPT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	65 V

Drainstrom 25°C	ID	25.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0210 Ω
	@ ID	15.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	17.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0260 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	20.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	100.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Anstiegszeit	tr	23 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	7 ns
Abfallzeit	tf	2 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	10.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	5.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	481 pF
Ausgangskapazität	Coss	168 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	8 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	18 nC