DI022P06D1-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI022P06D1-AQ MOSFET, DPAK, P, -60V, -22A, 45mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	10.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI022P06D1-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-60 V

Drainstrom 25°C	ID	-22 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0450 Ω
	@ ID	-10 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID	-16.100 A
On-Widerstand 2	RDSon2	60.0000 Ω
	@ ID	-8.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	43 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-60 A
Schwellspannung	VGSth min	-1.0 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	11 ns
Anstiegszeit	tr	19 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	25 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	35.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	16.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	4 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	30.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	2098 pF
Ausgangskapazität	Coss	98 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	49 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	109 nC