DI020P06PT-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI020P06PT-Q MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -60V, -20A, 45mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI020P06PT-Q

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-60 V

Drainstrom 25°C	ID	-20 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0450 Ω
	@ ID	-10 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID	12.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0500 Ω
	@ ID	-8.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	35.700 W
	@ TLoc	25.0 °C
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-70 A
Schwellspannung	VGSth min	-1.0 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	11 ns
Anstiegszeit	tr	18 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	25 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	34.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	16.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	5 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	26.4 mJ
Eingangskapazität	Ciss	2089 pF
Ausgangskapazität	Coss	99 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	50 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	10 nC