DI020N06D1
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI020N06D1 MOSFET, DPAK, N, 60V, 20A, 24mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI020N06D1

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V
Drain Current 25°C	ID	20.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.024 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	14.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0400 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	45.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	60.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	6 ns
Anstiegszeit	tr	6 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	17 ns
Abfallzeit	tf	3 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	25.3 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	6 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	72.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	590 pF
Output Capacitance	Coss	70 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	64 pF
Reverse recovery charge	Qrr	50 nC