DI020N06D1-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI020N06D1-Q MOSFET, DPAK, N, 60V, 20A, 34mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI020N06D1-Q

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drainstrom 25°C	ID	20.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0340 Ω
	@ ID	15 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	13.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0380 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	25.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	50.000 A
	@ tp
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	11 ns
Anstiegszeit	tr	27 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	10 ns
Abfallzeit	tf	2 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	19.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	8.7 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	3.7 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1260 pF
Ausgangskapazität	Coss	47 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	43 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	5 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Nein
Nettogewicht	mnet
Kennzeichnung	Marking
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH
	Location
UL anerkannt	UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH
	Location
Lagerungstemperatur	Tsmin
	Tsmax
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly
Gate-Source Leckstrom	IGSS
	@ VGS
Drain-Source Leckstrom	IDSS
	@ VDS
Gate-Source-Spannung DC	VGSS
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS
Übertragungssteilheit	gfs
Intrinsic gate resistance	RGi