DI020N06D1-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI020N06D1-Q MOSFET, DPAK, N, 60V, 20A, 34mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI020N06D1-Q

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V
Drain Current 25°C	ID	20.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0340 Ω
	@ ID	15 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	13.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0380 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	25.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	50.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	11 ns
Anstiegszeit	tr	27 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	10 ns
Abfallzeit	tf	2 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	19.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)	8.7 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	3 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	3.7 mJ
Input Capacitance	Ciss	1260 pF
Output Capacitance	Coss	47 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	43 pF
Reverse recovery charge	Qrr	5 nC