DI018N03SQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI018N03SQ MOSFET, SO-8, N, 30V, 18A, 5.5mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI018N03SQ

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drain Current 25°C	ID	18.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	5.50000 Ω
	@ ID	18.000 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	7.50000 Ω
	@ ID	15.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	3.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	80.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	20 ns
Anstiegszeit	tr	15 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	60 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	70.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	16 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	3850 pF
Output Capacitance	Coss	530 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	392 pF
Reverse recovery charge	Qrr