DI017N10D1
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI017N10D1 MOSFET, DPAK, N, 100V, 17A, 105Ω, 175°C
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI017N10D1

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drain Current 25°C	ID	17.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.1050 Ω
	@ ID	10 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	12.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.1550 Ω
	@ ID	9.000 A
	@ VGS	4 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	79.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	60.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Anstiegszeit	tr	53 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	30 ns
Abfallzeit	tf	26 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	34.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	20 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	150.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	800 pF
Output Capacitance	Coss	160 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	90 pF
Reverse recovery charge	Qrr	740 nC