DI014N03SQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI014N03SQ MOSFET, SO-8, N, 30V, 14A, 8mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI014N03SQ

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drain Current 25°C	ID	14.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.00800 Ω
	@ ID	14.000 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.01100 Ω
	@ ID	11.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	2.800 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	64.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Anstiegszeit	tr	5 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	23 ns
Abfallzeit	tf	7 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	25.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	4 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	45.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	1360 pF
Output Capacitance	Coss	175 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	130 pF
Reverse recovery charge	Qrr	3.0 nC