DI011N06PQK
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI011N06PQK MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 60V, 11A,
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI011N06PQK

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drainstrom 25°C	ID	11.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0100 Ω
	@ ID	11.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	34.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	44.000 A
Schwellspannung	VGSth min
	VGSth max	1.8 V
Einschaltverzögerung	tD(on)
Anstiegszeit	tr	0 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Abfallzeit	tf	0 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss
Ausgangskapazität	Coss
Rückwirkungskapazität	Crss
Sperrverzugsladung	Qrr