DI009P06PT-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI009P06PT-AQ MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -60V, -9.3A, 160mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI009P06PT-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-60 V

Drain Current 25°C	ID	9.300 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.16000 Ω
	@ ID	-5.000 A
	@ VGS	-10 V
Drain Current 100°C	ID	-5.800 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.22000 Ω
	@ ID	-4.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	32.800 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-15.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-1.2 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	5 ns
Anstiegszeit	tr	3 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	8 ns
Abfallzeit	tf	1 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	7.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)	3.2 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	1 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	4.7 mJ
Input Capacitance	Ciss	361 pF
Output Capacitance	Coss	25 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	20 pF
Reverse recovery charge	Qrr	3.6 nC