DI009N10PQ-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI009N10PQ-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 9A, 115mΩ, 175°C AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI009N10PQ-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	9.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.1150 Ω
	@ ID	4.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	6.300 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.1250 Ω
	@ ID	3.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	26.700 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	20.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	11 ns
Anstiegszeit	tr	3 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	10 ns
Abfallzeit	tf	5 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	19.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	9.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	1142 pF
Ausgangskapazität	Coss	27 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	24 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	18 nC