DI008C04PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI008C04PT MOSFET, PowerQFN 3x3-Dual, N+P, 40V, 8A, 18mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI008C04PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3-Dual
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+P
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	8.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0180 Ω
	@ ID	8 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0220 Ω
	@ ID	4.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.770 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	32.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	6 ns
Anstiegszeit	tr	36 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	29 ns
Abfallzeit	tf	7 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	15.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	750 pF
Ausgangskapazität	Coss	150 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	80 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	21 nC