DI006P02PW
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI006P02PW MOSFET, PowerQFN 2x2, P, -20V, -6A, 25mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI006P02PW

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-20 V

Drainstrom 25°C	ID	-6.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0250 Ω
	@ ID	-6 A
	@ VGS	-5 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0350 Ω
	@ ID	-5.000 A
	@ VGS	-2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	2.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-36.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-0.4 V
	VGSth max	-1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Anstiegszeit	tr	34 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	21 ns
Abfallzeit	tf	7 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	13.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	1242 pF
Ausgangskapazität	Coss	188 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	148 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	2 nC