DI006N04KSQ2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI006N04KSQ2 MOSFET, SO-8, N+N, 40V, 6A, 28 mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI006N04KSQ2

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual 7/8
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	6.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0280 Ω
	@ ID	6.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	6.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0350 Ω
	@ ID	5.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	2.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	30.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.6 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	6 ns
Anstiegszeit	tr	3 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	21 ns
Abfallzeit	tf	7 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	13.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	10.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	520 pF
Ausgangskapazität	Coss	65 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	32 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	13 nC